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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
Confronto
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
Differenze
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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
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Motivi da considerare
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
21
48
Intorno -129% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.9
8.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.8
5.9
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
10600
Intorno 2.01 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
48
21
Velocità di lettura, GB/s
8.9
17.9
Velocità di scrittura, GB/s
5.9
13.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
21300
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1420
3167
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Confronto tra le RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Kingston RB24D4U7S8MB-8 8GB
Kingston ACR256X64D2S800C6 2GB
Kingston KVR800D2S6/4G 4GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMK32GX4M2F4000C19 16GB
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