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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB
Confronto
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Punteggio complessivo
SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
48
71
Intorno 32% latenza inferiore
Motivi da considerare
SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.5
8.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.9
5.9
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
10600
Intorno 1.81 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
48
71
Velocità di lettura, GB/s
8.9
15.5
Velocità di scrittura, GB/s
5.9
8.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
19200
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1420
1986
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Confronto tra le RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB Confronto tra le RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
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V-GEN D4S8GL30A8TS5 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston 9905630-025.A00G 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FE 16GB
Unigen Corporation U51U6411P8DU-BD1 4GB
Asgard VMA42UG-MEC1U2AW1 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston 9965589-013.A00G 8GB
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