RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Confronto
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Punteggio complessivo
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
48
73
Intorno 34% latenza inferiore
Motivi da considerare
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.2
8.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.1
5.9
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
10600
Intorno 2.01 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
48
73
Velocità di lettura, GB/s
8.9
15.2
Velocità di scrittura, GB/s
5.9
9.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
21300
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1420
1843
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Confronto tra le RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB Confronto tra le RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston KF552C40-16 16GB
InnoDisk Corporation 16GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Crucial Technology BL16G30C15U4W.M16FE1 16GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Avant Technology J641GU42J5213N0 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Samsung M386A8K40CM2-CRC 64GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Super Talent F3200UA8G 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Avant Technology J644GU44J1293NF 32GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMD32GX4M2B2800C14 16GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Kingston 9965600-005.A00G 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston 9965640-004.C00G 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Kingston XRMWRN-HYA 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GVR 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link