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Samsung M471B5273CH0-YK0 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Confronto
Samsung M471B5273CH0-YK0 4GB vs Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5273CH0-YK0 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B5273CH0-YK0 4GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
38
47
Intorno 19% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
12.6
11.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.8
8.0
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
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Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5273CH0-YK0 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR3
Latenza in PassMark, ns
38
47
Velocità di lettura, GB/s
12.6
11.8
Velocità di scrittura, GB/s
8.8
8.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
12800
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2174
2061
Samsung M471B5273CH0-YK0 4GB Confronto tra le RAM
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M471B5273CH0-CK0 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
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Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston 9905701-141.A00G 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston 9965667-001.A00G 16GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMK16GX4M2B3466C16 8GB
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