RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Confronto
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB vs Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Punteggio complessivo
Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
41
74
Intorno 45% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.0
7.9
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
13.9
13.3
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
41
74
Velocità di lettura, GB/s
13.3
13.9
Velocità di scrittura, GB/s
9.0
7.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2016
1679
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB Confronto tra le RAM
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB Confronto tra le RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston KHX3733C19D4/8GX 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE1 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3733 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CM4X8GF2666C18S2 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C16 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston LV32D4S2S8HD-8 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
King Tiger Technology TMKU8G868-240U 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link