RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.8FE 8GB
Confronto
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB vs Crucial Technology BL8G32C16S4B.8FE 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology BL8G32C16S4B.8FE 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Crucial Technology BL8G32C16S4B.8FE 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.1
13.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.2
9.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.8FE 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
41
41
Velocità di lettura, GB/s
13.3
16.1
Velocità di scrittura, GB/s
9.0
13.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2016
2870
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB Confronto tra le RAM
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.8FE 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.8FE 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Corsair CMW32GX4M2A2666C16 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M386A4G40DM0-CPB 32GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston XK2M26-MIE 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Corsair CM4X16GE2400C14K4 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston CBD32D4S2D8HD-16 16GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
A-DATA Technology DDR4 3600 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GVK 4GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Corsair CMW16GX4M1D3000C16 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 99U5711-001.A00G 4GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link