RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
Confronto
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB vs G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
29
41
Intorno -41% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.6
13.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.2
9.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
41
29
Velocità di lettura, GB/s
13.3
17.6
Velocità di scrittura, GB/s
9.0
14.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2016
3573
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB Confronto tra le RAM
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMR32GX4M4C3200C16 8GB
Kingston 9905678-024.A00G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKK 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingston KHX2400C12D4/8GX 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Apacer Technology 78.BAGM6.40C0B 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GFX 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190A 8GB
G Skill Intl F5-6000J3636F16G 16GB
Kingston 9905701-022.A00G 16GB
Kingston KF560C40-16 16GB
Kingston KF3200C18D4/8G 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FR 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FB 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
A-DATA Technology DDR4 2133 2OZ 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link