RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB
Confronto
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Punteggio complessivo
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
41
50
Intorno 18% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.0
7.3
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
13.4
13.3
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
41
50
Velocità di lettura, GB/s
13.3
13.4
Velocità di scrittura, GB/s
9.0
7.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2016
1976
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB Confronto tra le RAM
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston ASU21D4U5S8MB-8 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M8FB1 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
King Tiger Technology TMKG8G3000C17(XMP) 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
INTENSO 5641152 4GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Kingston LV26D4S9S8HJ-8 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Crucial Technology BLT8G4D30AET4K.M8FE1 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Corsair CMK64GX4M4B3466C16 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link