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Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Kingston XF875V-HYA 8GB
Confronto
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB vs Kingston XF875V-HYA 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Punteggio complessivo
Kingston XF875V-HYA 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Motivi da considerare
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
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Motivi da considerare
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
39
41
Intorno -5% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.4
9.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Kingston XF875V-HYA 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
41
39
Velocità di lettura, GB/s
13.3
13.3
Velocità di scrittura, GB/s
9.0
11.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2016
2274
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB Confronto tra le RAM
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Kingston XF875V-HYA 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMN32GX4M2Z3600C18 16GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
SK Hynix HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Apacer Technology 78.D1GMM.AU10B 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Corsair CMK128GX4M8B3333C16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
UMAX Technology 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 16GB 16G
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Kingston X0N6VG-HYD2 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
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