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Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
Confronto
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
13.3
12.8
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
Segnala un bug
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.2
9.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
41
41
Velocità di lettura, GB/s
13.3
12.8
Velocità di scrittura, GB/s
9.0
9.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2016
2238
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB Confronto tra le RAM
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
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Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16S/8G 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Avant Technology W644GU44J2320NH 32GB
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