RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
Confronto
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB vs V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Punteggio complessivo
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
41
77
Intorno 47% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.0
8.2
Valore medio nei test
Motivi da considerare
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.5
13.3
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
41
77
Velocità di lettura, GB/s
13.3
15.5
Velocità di scrittura, GB/s
9.0
8.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2016
1809
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB Confronto tra le RAM
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB Confronto tra le RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FADP 4GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CMT64GX4M8X3000C15 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CB16GS2400.C16J 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Avant Technology J641GU42J5213N0 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-4G 4GB
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
Corsair CMW32GX4M4K4000C19 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3000C15 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMW8GX4M1Z3600C18 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link