Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/8G 8GB

Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB vs Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/8G 8GB

Punteggio complessivo
star star star star star
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB

Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB

Punteggio complessivo
star star star star star
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/8G 8GB

Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/8G 8GB

Differenze

  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    28 left arrow 41
    Intorno -46% latenza inferiore
  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    16.7 left arrow 13.3
    Valore medio nei test
  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    11.9 left arrow 9.0
    Valore medio nei test
  • Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
    19200 left arrow 12800
    Intorno 1.5 larghezza di banda superiore

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/8G 8GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latenza in PassMark, ns
    41 left arrow 28
  • Velocità di lettura, GB/s
    13.3 left arrow 16.7
  • Velocità di scrittura, GB/s
    9.0 left arrow 11.9
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    12800 left arrow 19200
Other
  • Descrizione
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    2016 left arrow 2948
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Ultimi confronti