RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15/8G 8GB
Confronto
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB vs Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15/8G 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Punteggio complessivo
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15/8G 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15/8G 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
41
Intorno -52% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.5
13.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.5
9.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15/8G 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
41
27
Velocità di lettura, GB/s
13.3
17.5
Velocità di scrittura, GB/s
9.0
12.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2016
3223
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB Confronto tra le RAM
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15/8G 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9905702-002.A00G 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Apacer Technology 76.D305G.D060B 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FJ 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZA 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Apacer Technology 78.C2GF6.AU20B 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Essencore Limited KD4AGU880-36A180U 16GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Apacer Technology GD2.111881.002 4GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBR2 4GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Corsair CMH32GX4M2E3200C16 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBR2 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link