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Samsung M471B5273DH0-YK0 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
Confronto
Samsung M471B5273DH0-YK0 4GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5273DH0-YK0 4GB
Punteggio complessivo
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
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Motivi da considerare
Samsung M471B5273DH0-YK0 4GB
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Motivi da considerare
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
25
41
Intorno -64% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
20.2
12.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
18.1
9.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5273DH0-YK0 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
41
25
Velocità di lettura, GB/s
12.9
20.2
Velocità di scrittura, GB/s
9.0
18.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1958
4046
Samsung M471B5273DH0-YK0 4GB Confronto tra le RAM
Kingston SNY1333D3S9ELC/4G 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905428-193.A00LF 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
Mushkin 991586 2GB
SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
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