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Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCSS 8GB
Confronto
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCSS 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCSS 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
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Motivi da considerare
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCSS 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
39
40
Intorno -3% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.6
12.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.9
8.9
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
12800
Intorno 2 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCSS 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
40
39
Velocità di lettura, GB/s
12.3
17.6
Velocità di scrittura, GB/s
8.9
13.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
25600
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1789
3046
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Confronto tra le RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCSS 8GB Confronto tra le RAM
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMK16GX4M4C3200C16 4GB
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Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBR 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N
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