RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
A-DATA Technology DDR4 3600 8GB
Confronto
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs A-DATA Technology DDR4 3600 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology DDR4 3600 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
A-DATA Technology DDR4 3600 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
29
40
Intorno -38% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
19.4
12.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
16.2
8.9
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
A-DATA Technology DDR4 3600 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
40
29
Velocità di lettura, GB/s
12.3
19.4
Velocità di scrittura, GB/s
8.9
16.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1789
3735
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Confronto tra le RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
A-DATA Technology DDR4 3600 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
A-DATA Technology DDR4 3600 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-ON 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9965600-027.A00G 16GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.8FB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMA451U7AFR8N-TF 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Corsair CMK16GX4M4B3600C18 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240082 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK32GX4M4B3866C18 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston ACR26D4S9S8HJ-8 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Corsair CMSX8GX4M2A2666C18 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link