RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Avant Technology W641GU42J5213N3 8GB
Confronto
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Avant Technology W641GU42J5213N3 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Punteggio complessivo
Avant Technology W641GU42J5213N3 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Segnala un bug
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.9
6.1
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Avant Technology W641GU42J5213N3 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
23
40
Intorno -74% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
13.7
12.3
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Avant Technology W641GU42J5213N3 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
40
23
Velocità di lettura, GB/s
12.3
13.7
Velocità di scrittura, GB/s
8.9
6.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1789
2130
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Confronto tra le RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Avant Technology W641GU42J5213N3 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Avant Technology W641GU42J5213N3 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Corsair CMV4GX4M1A2666C18 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14T 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMK8GX4M2B3000C15 4GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston 9965589-026.D00G 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Apacer Technology 78.CAGPN.AZ50C 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Kingston KM0VW4-MID 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston KHX3200C20S4/8G 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link