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Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Confronto
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Punteggio complessivo
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Motivi da considerare
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
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Motivi da considerare
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
25
40
Intorno -60% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.9
12.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.0
8.9
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
40
25
Velocità di lettura, GB/s
12.3
15.9
Velocità di scrittura, GB/s
8.9
12.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1789
3023
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Confronto tra le RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB Confronto tra le RAM
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9905701-143.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Apacer Technology GD2.1140CH.001 4GB
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