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Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMD32GX4M4A2666C15 8GB
Confronto
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Corsair CMD32GX4M4A2666C15 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Punteggio complessivo
Corsair CMD32GX4M4A2666C15 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Motivi da considerare
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
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Motivi da considerare
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
35
40
Intorno -14% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.8
12.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.4
8.9
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMD32GX4M4A2666C15 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
40
35
Velocità di lettura, GB/s
12.3
15.8
Velocità di scrittura, GB/s
8.9
12.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1789
3164
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Confronto tra le RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Corsair CMD32GX4M4A2666C15 8GB Confronto tra le RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
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Corsair CMK16GX4M2L3000C15 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Smart Modular SF4641G8CK8IWGKSEG 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
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