RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMR32GX4M2F3600C18 16GB
Confronto
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Corsair CMR32GX4M2F3600C18 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Punteggio complessivo
Corsair CMR32GX4M2F3600C18 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Corsair CMR32GX4M2F3600C18 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
25
40
Intorno -60% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
19.1
12.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
16.3
8.9
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMR32GX4M2F3600C18 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
40
25
Velocità di lettura, GB/s
12.3
19.1
Velocità di scrittura, GB/s
8.9
16.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1789
4052
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Confronto tra le RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Corsair CMR32GX4M2F3600C18 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFXR 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Corsair CMH32GX4M2D3600C18 16GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Corsair CMK32GX4M2C3200C18 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Corsair CMK32GX4M2Z2400C16 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMT128GX4M4C3200C16 32GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Apacer Technology 78.B1GS6.AUC0B 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Corsair CMW64GX4M4C3466C16 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXWB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston 9965669-019.A00G 16GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Corsair CMW32GX4M2C3333C16 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kingston 9905625-076.A00G 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link