RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMWX16GC3600C18W2D 16GB
Confronto
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Corsair CMWX16GC3600C18W2D 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Punteggio complessivo
Corsair CMWX16GC3600C18W2D 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Corsair CMWX16GC3600C18W2D 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
33
40
Intorno -21% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17
12.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.6
8.9
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMWX16GC3600C18W2D 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
40
33
Velocità di lettura, GB/s
12.3
17.0
Velocità di scrittura, GB/s
8.9
14.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1789
3422
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Confronto tra le RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Corsair CMWX16GC3600C18W2D 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FJ 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVK 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Kingston LV32D4U2S8HD-8X 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FP 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2933 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Mushkin MRA4S320GJJM16G 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBR2 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston 9905702-204.A00G 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 9905702-137.A00G 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link