RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.M8FADM 4GB
Confronto
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Crucial Technology BLS4G4S240FSD.M8FADM 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.M8FADM 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.M8FADM 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
25
40
Intorno -60% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.4
12.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.5
8.9
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.M8FADM 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
40
25
Velocità di lettura, GB/s
12.3
15.4
Velocità di scrittura, GB/s
8.9
12.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1789
2481
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Confronto tra le RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.M8FADM 4GB Confronto tra le RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.M8FADM 4GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Kingston KVR24N17S8/4 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDR2 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRS 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
AMD R748G2400U2S 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Avant Technology J642GU42J5213N2 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMK16GX4M2B3600C18 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRSB 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213382 4GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GTZRX 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link