RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FF 4GB
Confronto
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FF 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FF 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FF 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
23
40
Intorno -74% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.5
12.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.4
8.9
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FF 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
40
23
Velocità di lettura, GB/s
12.3
16.5
Velocità di scrittura, GB/s
8.9
10.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1789
2537
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Confronto tra le RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FF 4GB Confronto tra le RAM
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB
Crucial Technology CT51264BA160BJ.8F1 4GB
Kingston KF548C38-16 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Avant Technology W642GU42J5213N2 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZR 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Ramaxel Technology RMUA5180MH78HBF-2666 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Corsair CMK16GX4M2F4500C19 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GVK 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRSB 16GB
Kingston 9905428-401.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C14 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link