RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GVK 4GB
Confronto
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs G Skill Intl F4-3733C17-4GVK 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3733C17-4GVK 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3733C17-4GVK 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
21
40
Intorno -90% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
19
12.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.4
8.9
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GVK 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
40
21
Velocità di lettura, GB/s
12.3
19.0
Velocità di scrittura, GB/s
8.9
14.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1789
3216
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Confronto tra le RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GVK 4GB Confronto tra le RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Golden Empire CL18-22-22 D4-3600 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDD1 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston MSI24D4S7S8S8-8 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 9905702-017.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVK 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GVK 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Roa Logic BV W4U2666CX1-8G 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMU32GX4M4C3200C16 8GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180Z 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200
Segnala un bug
×
Bug description
Source link