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Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston 99U5428-049.A00G 4GB

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Kingston 99U5428-049.A00G 4GB

Punteggio complessivo
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Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

Punteggio complessivo
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Kingston 99U5428-049.A00G 4GB

Kingston 99U5428-049.A00G 4GB

Differenze Specifiche tecniche Commenti

Differenze

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Motivi da considerare
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
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  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    12.3 left arrow 10.8
    Valore medio nei test
  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    8.9 left arrow 5.2
    Valore medio nei test
Kingston 99U5428-049.A00G 4GB Motivi da considerare
Kingston 99U5428-049.A00G 4GB
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  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    26 left arrow 40
    Intorno -54% latenza inferiore

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston 99U5428-049.A00G 4GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR3 left arrow DDR3
  • Latenza in PassMark, ns
    40 left arrow 26
  • Velocità di lettura, GB/s
    12.3 left arrow 10.8
  • Velocità di scrittura, GB/s
    8.9 left arrow 5.2
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    12800 left arrow 12800
Other
  • Descrizione
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    1789 left arrow 1580

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Confronto tra le RAM

A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB

Kingston 99U5428-049.A00G 4GB Confronto tra le RAM

G Skill Intl F4-2666C15-16GVR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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G Skill Intl F4-2400C15-16GVR 16GB
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Memoria RAM
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
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Kingston 99U5428-049.A00G 4GB
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