RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston 99U5711-001.A00G 4GB
Confronto
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Kingston 99U5711-001.A00G 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Punteggio complessivo
Kingston 99U5711-001.A00G 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
40
101
Intorno 60% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.9
6.0
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Kingston 99U5711-001.A00G 4GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.5
12.3
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston 99U5711-001.A00G 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
40
101
Velocità di lettura, GB/s
12.3
14.5
Velocità di scrittura, GB/s
8.9
6.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1789
1369
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Confronto tra le RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Kingston 99U5711-001.A00G 4GB Confronto tra le RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston 99U5711-001.A00G 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N
Mushkin 991586 2GB
Panram International Corporation M424051 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FE 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GTZRX 8GB
Corsair CMK16GX4M2A2666C16 8GB
Corsair CMN32GX4M2Z4600C18 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMW256GX4M8E3200C16 32GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Corsair CM4X4GD3000C16K2 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M16FE 16GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C15 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16/16G 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDD2 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link