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Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston K6VDX7-MIE 8GB
Confronto
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Kingston K6VDX7-MIE 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Punteggio complessivo
Kingston K6VDX7-MIE 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Segnala un bug
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.9
8.1
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Kingston K6VDX7-MIE 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
36
40
Intorno -11% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.3
12.3
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
12800
Intorno 2 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston K6VDX7-MIE 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
40
36
Velocità di lettura, GB/s
12.3
14.3
Velocità di scrittura, GB/s
8.9
8.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
25600
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1789
2332
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Confronto tra le RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Kingston K6VDX7-MIE 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5403-050.A00LF 4GB
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Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Corsair CM4B8G2J3000K15K 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMK32GX4M4B3200C16 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
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