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Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston KTP9W1-MIE 16GB
Confronto
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Kingston KTP9W1-MIE 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Punteggio complessivo
Kingston KTP9W1-MIE 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
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Motivi da considerare
Kingston KTP9W1-MIE 16GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
34
40
Intorno -18% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.7
12.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.2
8.9
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston KTP9W1-MIE 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
40
34
Velocità di lettura, GB/s
12.3
15.7
Velocità di scrittura, GB/s
8.9
12.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1789
2978
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Confronto tra le RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Kingston KTP9W1-MIE 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMD32GX4M4B2133C10 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2666C16 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.8FE 8GB
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