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Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Confronto
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
40
64
Intorno 38% latenza inferiore
Motivi da considerare
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.5
12.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.3
8.9
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
40
64
Velocità di lettura, GB/s
12.3
17.5
Velocità di scrittura, GB/s
8.9
9.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1789
2205
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Confronto tra le RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMWX16GC3000C16W4D 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BWCS 4GB
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