RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
Confronto
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
40
55
Intorno 27% latenza inferiore
Motivi da considerare
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16
12.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.9
8.9
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
12800
Intorno 2 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
40
55
Velocità di lettura, GB/s
12.3
16.0
Velocità di scrittura, GB/s
8.9
12.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
25600
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1789
2699
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Confronto tra le RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK32GX4M4D3600C18 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M16FE 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.C16FE 32GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KFGA------ 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRG 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMK16GX4M2A2800C16 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link