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Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Confronto
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Punteggio complessivo
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Segnala un bug
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.9
6.6
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
30
40
Intorno -33% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
13.5
12.3
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
40
30
Velocità di lettura, GB/s
12.3
13.5
Velocità di scrittura, GB/s
8.9
6.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1789
1338
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Confronto tra le RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
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SK Hynix GKE800UD102408-2400 8GB
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Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8G
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
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