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Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
Confronto
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Punteggio complessivo
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Motivi da considerare
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
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Motivi da considerare
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
40
Intorno -48% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18.7
12.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
17.8
8.9
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
12800
Intorno 2 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
40
27
Velocità di lettura, GB/s
12.3
18.7
Velocità di scrittura, GB/s
8.9
17.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
25600
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1789
3963
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Confronto tra le RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Kingston X75V1H-MIE 32GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
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