RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8RRGB16 8GB
Confronto
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs V-Color Technology Inc. TL48G32S8RRGB16 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Punteggio complessivo
V-Color Technology Inc. TL48G32S8RRGB16 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
V-Color Technology Inc. TL48G32S8RRGB16 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
32
40
Intorno -25% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.5
12.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.8
8.9
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8RRGB16 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
40
32
Velocità di lettura, GB/s
12.3
15.5
Velocità di scrittura, GB/s
8.9
11.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1789
3198
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Confronto tra le RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8RRGB16 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BWCS 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Kingston 9905711-007.A00G 4GB
Unifosa Corporation GU502203EP0201 1GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3333C16 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Kingston 9905701-032.A00G 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BZPS 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FHD 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C18 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C18 Series 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMD32GX4M4A2666C16 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD2 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link