RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CM4B8G1J3000K16W4 8GB
Confronto
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Corsair CM4B8G1J3000K16W4 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Punteggio complessivo
Corsair CM4B8G1J3000K16W4 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Corsair CM4B8G1J3000K16W4 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17
10.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.4
6.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
8500
Intorno 2 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CM4B8G1J3000K16W4 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
30
30
Velocità di lettura, GB/s
10.6
17.0
Velocità di scrittura, GB/s
6.8
14.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
8500
17000
Other
Descrizione
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1479
3465
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Confronto tra le RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Corsair CM4B8G1J3000K16W4 8GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Essencore Limited KD4AGS88C-26N1900 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C14 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston 9965604-016.C01G 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FBD 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Kingston KHX3466C16D4/8GX 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Kingston HP24D4U7S8MD-8 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Corsair CMU32GX4M2C3333C16 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRS 32GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link