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Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CM4X16GC3000C16K4D 16GB
Confronto
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Corsair CM4X16GC3000C16K4D 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Punteggio complessivo
Corsair CM4X16GC3000C16K4D 16GB
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Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.6
10.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.3
6.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
8500
Intorno 2 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CM4X16GC3000C16K4D 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
30
30
Velocità di lettura, GB/s
10.6
17.6
Velocità di scrittura, GB/s
6.8
13.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
8500
17000
Other
Descrizione
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1479
3429
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Confronto tra le RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Corsair CM4X16GC3000C16K4D 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston KHX2133C15S4/8G 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston KKN2NM-MIE 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
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