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Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMD8GX4M2B3466C18 4GB
Confronto
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Corsair CMD8GX4M2B3466C18 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Punteggio complessivo
Corsair CMD8GX4M2B3466C18 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Differenze
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Motivi da considerare
Corsair CMD8GX4M2B3466C18 4GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
20
30
Intorno -50% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
19
10.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
15.3
6.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
8500
Intorno 2 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMD8GX4M2B3466C18 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
30
20
Velocità di lettura, GB/s
10.6
19.0
Velocità di scrittura, GB/s
6.8
15.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
8500
17000
Other
Descrizione
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1479
2939
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Confronto tra le RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Corsair CMD8GX4M2B3466C18 4GB Confronto tra le RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F5-6000U3636E16G 16GB
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Crucial Technology CB16GS2400.C16J 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
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Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
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Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9965684-013.A00G 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
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