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Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMK16GX4M2F4500C19 8GB
Confronto
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Corsair CMK16GX4M2F4500C19 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Punteggio complessivo
Corsair CMK16GX4M2F4500C19 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Motivi da considerare
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
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Motivi da considerare
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
16
30
Intorno -88% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
22.2
10.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
17.7
6.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
8500
Intorno 2 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMK16GX4M2F4500C19 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
30
16
Velocità di lettura, GB/s
10.6
22.2
Velocità di scrittura, GB/s
6.8
17.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
8500
17000
Other
Descrizione
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1479
3834
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Confronto tra le RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Corsair CMK16GX4M2F4500C19 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMWX8GD3200C16W2E 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Transcend Information JM3200HLB-8G 8GB
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