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Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMK64GX4M8Z2933C16 8GB
Confronto
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Corsair CMK64GX4M8Z2933C16 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Punteggio complessivo
Corsair CMK64GX4M8Z2933C16 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
30
84
Intorno 64% latenza inferiore
Motivi da considerare
Corsair CMK64GX4M8Z2933C16 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
12.8
10.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.5
6.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
8500
Intorno 2.51 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMK64GX4M8Z2933C16 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
30
84
Velocità di lettura, GB/s
10.6
12.8
Velocità di scrittura, GB/s
6.8
10.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
8500
21300
Other
Descrizione
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1479
1932
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Confronto tra le RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Corsair CMK64GX4M8Z2933C16 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
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Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FN 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kingston HP32D4U2S8ME-16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
Kingston RB16D3LS1KBG/4G 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB
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G Skill Intl F4-3200C15-8GVK 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CM4X16GE2666C16K8 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
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