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Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMU16GX4M2C3000C15 8GB
Confronto
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Corsair CMU16GX4M2C3000C15 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Punteggio complessivo
Corsair CMU16GX4M2C3000C15 8GB
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Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
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Motivi da considerare
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.8
10.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.5
6.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
8500
Intorno 2 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMU16GX4M2C3000C15 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
30
30
Velocità di lettura, GB/s
10.6
17.8
Velocità di scrittura, GB/s
6.8
13.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
8500
17000
Other
Descrizione
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1479
3273
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Confronto tra le RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Corsair CMU16GX4M2C3000C15 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C14 4GB
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G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KSRGB15 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3200C22-32GRS 32GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMG64GX4M2D3600C18 32GB
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