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Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMWX16GC3000C16W4D 16GB
Confronto
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Corsair CMWX16GC3000C16W4D 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Punteggio complessivo
Corsair CMWX16GC3000C16W4D 16GB
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Specifiche tecniche
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Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
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Motivi da considerare
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
30
Intorno -11% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18.1
10.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
15.7
6.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
8500
Intorno 2 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMWX16GC3000C16W4D 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
30
27
Velocità di lettura, GB/s
10.6
18.1
Velocità di scrittura, GB/s
6.8
15.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
8500
17000
Other
Descrizione
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1479
3845
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Confronto tra le RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Corsair CMWX16GC3000C16W4D 16GB Confronto tra le RAM
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston KHX2933C17D4/16G 16GB
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Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Corsair CMD16GX4M2E4000C19 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Mushkin 99[2/7/4]209F 8GB
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