RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FE 16GB
Confronto
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FE 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FE 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FE 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
29
30
Intorno -3% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.6
10.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.8
6.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
8500
Intorno 2.51 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FE 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
30
29
Velocità di lettura, GB/s
10.6
17.6
Velocità di scrittura, GB/s
6.8
14.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
8500
21300
Other
Descrizione
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1479
3687
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Confronto tra le RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FE 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG? 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FE 16GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905713-028.A00G 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-3800C14-16GTZN 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Corsair CMW64GX4M4C3466C16 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9905711-015.A00G 4GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Kingston KP6FH5-MIE 32GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K1HU408 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link