RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Confronto
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
30
Intorno -7% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.4
10.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.1
6.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
8500
Intorno 2.26 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
30
28
Velocità di lettura, GB/s
10.6
17.4
Velocità di scrittura, GB/s
6.8
13.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
8500
19200
Other
Descrizione
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1479
3437
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Confronto tra le RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Corsair CMR16GX4M2C3000C15 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Samsung M393A2K40BB0-CPB 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 9905624-010.A00G 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBR2 4GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Transcend Information JM3200HLE-32G 32GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3600 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD1 4GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston 9905599-020.A00G 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link