RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS6266.M4FB 8GB
Confronto
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Crucial Technology CT8G4SFS6266.M4FB 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT8G4SFS6266.M4FB 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
30
36
Intorno 17% latenza inferiore
Motivi da considerare
Crucial Technology CT8G4SFS6266.M4FB 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.1
10.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.6
6.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
8500
Intorno 2.51 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS6266.M4FB 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
30
36
Velocità di lettura, GB/s
10.6
17.1
Velocità di scrittura, GB/s
6.8
12.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
8500
21300
Other
Descrizione
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1479
2920
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Confronto tra le RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS6266.M4FB 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS6266.M4FB 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRG 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 99U5702-101.A00G 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTRS 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRS 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002S 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Corsair CMW32GX4M2C3200C16 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMWX8GF2933Z19W8 8GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Avant Technology W644GU44J2320NH 32GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link