RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
Confronto
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
30
34
Intorno 12% latenza inferiore
Motivi da considerare
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.2
10.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.4
6.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
8500
Intorno 2.51 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
30
34
Velocità di lettura, GB/s
10.6
17.2
Velocità di scrittura, GB/s
6.8
13.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
8500
21300
Other
Descrizione
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1479
3055
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Confronto tra le RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMK8GX4M2D2666C16 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHAB 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BL32G36C16U4B.M16FB1 32GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BBFS 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4RL.M8FE1 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD3-2400 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G13332 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M8FB1 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Corsair CMT64GX4M4C3200C16 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FB 32GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FE 32GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link