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Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB
Confronto
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Punteggio complessivo
DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB
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Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
13.4
10.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
6.9
6.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
8500
Intorno 2 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
30
30
Velocità di lettura, GB/s
10.6
13.4
Velocità di scrittura, GB/s
6.8
6.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
8500
17000
Other
Descrizione
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1479
2081
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Confronto tra le RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Corsair CMK16GX4M2A2400C16 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FN 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRRB 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FAD 8GB
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