RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GRS 16GB
Confronto
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs G Skill Intl F4-2666C19-16GRS 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-2666C19-16GRS 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
30
36
Intorno 17% latenza inferiore
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-2666C19-16GRS 16GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.5
10.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.4
6.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
8500
Intorno 2.51 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GRS 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
30
36
Velocità di lettura, GB/s
10.6
15.5
Velocità di scrittura, GB/s
6.8
13.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
8500
21300
Other
Descrizione
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1479
2966
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Confronto tra le RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GRS 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Apacer Technology 78.CAGR4.DFC0B 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GRS 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston ACR26D4S9D8MD-16 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Corsair CMK16GX4M2B2800C14 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
SK Hynix HMT451S6MFR8A-PB 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston 9905663-005.A00G 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBR 16GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKW 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link