RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB
Confronto
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
30
45
Intorno 33% latenza inferiore
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.6
10.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.7
6.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
8500
Intorno 2 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
30
45
Velocità di lettura, GB/s
10.6
16.6
Velocità di scrittura, GB/s
6.8
11.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
8500
17000
Other
Descrizione
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1479
3233
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Confronto tra le RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology BL16G30C15U4R.M16FE1 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRS 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston KYXC0V-MIB 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CM4X16GC3000C16K8 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM16G 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G320081 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston K9CXF2-MIE 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link