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Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
Confronto
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
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Motivi da considerare
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
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Motivi da considerare
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.7
10.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.8
6.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
8500
Intorno 2 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
30
30
Velocità di lettura, GB/s
10.6
17.7
Velocità di scrittura, GB/s
6.8
14.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
8500
17000
Other
Descrizione
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1479
3606
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Confronto tra le RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
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Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FB 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Apacer Technology 78.D2GFH.4030B 16GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Kingston 9965516-049.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
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