RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZA 8GB
Confronto
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs G Skill Intl F4-4266C19-8GTZA 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZA 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZA 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
30
Intorno -7% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18
10.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
15.2
6.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
8500
Intorno 2 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZA 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
30
28
Velocità di lettura, GB/s
10.6
18.0
Velocità di scrittura, GB/s
6.8
15.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
8500
17000
Other
Descrizione
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1479
3660
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Confronto tra le RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZA 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZRX 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZA 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CMK16GX4M2D3000C16 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Corsair CMK128GX4M8X3600C18 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Panram International Corporation W4U2133PS-8G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905624-023.A00G 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Apacer Technology 78.BAGM6.40C0B 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Hewlett-Packard 7EH64AA#ABC 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRK 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CM4X16GE2133C15S2 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link