RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
Confronto
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Punteggio complessivo
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
30
77
Intorno 61% latenza inferiore
Motivi da considerare
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.7
10.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
7.6
6.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
8500
Intorno 2.51 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
30
77
Velocità di lettura, GB/s
10.6
14.7
Velocità di scrittura, GB/s
6.8
7.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
8500
21300
Other
Descrizione
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1479
1688
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Confronto tra le RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FN 8GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Crucial Technology BLT8G4D26BFT4K.C8FD 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FB 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology BLE4G4D30AEEA.K8FE 4GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Kingston 99U5702-020.A00G 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRG 32GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Samsung M386A8K40BMB-CPB 64GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link